卢瑟福背散射光谱法(RBS)

卢瑟福背散射光谱法(RBS)是一种用于成分薄膜分析的离子散射技术。 RBS的独特之处在于它允许在不使用参考标准的情况下进行量化。 在RBS分析期间,高能(MeV)He2+ 离子(即 α 粒子)被引导到样品上,背散射 He 的能量分布和产率2+ 测量给定角度的离子。 由于每个元件的背向散射截面是已知的,因此可以从厚度小于 1 μm 的薄膜的 RBS 光谱中获得定量的成分深度分布。

除了元素组成外,RBS 还可用于获取有关单晶样品结晶质量的信息。 这种称为“沟道”的技术可以探测晶体中的损伤程度或确定晶格中替代或间隙物质的数量。

EAG在使用Rutherford背散射光谱分析仪和球探管仪和tandetron仪进行薄膜分析方面拥有世界一流的经验。 EAG在所有类型的分析中的经验  薄膜 (氧化物,氮化物,硅化物,高K和低K电介质,金属膜,化合物 半导体 和掺杂剂)可以实现快速的周转时间,准确的数据和高质量的人与人之间的服务。

RBS教程:仪器

RBS教程:理论

卢瑟福背散射光谱法的理想用途

  • 薄膜成分/厚度
  • 确定面积浓度(原子/ cm2)
  • 确定薄膜密度(厚度已知)

我们的强项

  • 非破坏性成分分析
  • 没有标准的定量
  • 导体和绝缘体分析
  • 氢测量(在HFS模式下)
  • 低Z元件灵敏度(在NRA模式下)

限制

  • 分析面积大(〜2 mm)
  • 有用的信息仅限于约1μm的样品

卢瑟福背散射光谱技术规格

  • 检测到信号: 背散射的He原子
  • 检测到的元素: BU
  • 检测限: 0.001-10 at%
  • 深度分辨率: 100-200Å
  • 成像/制图: 没有
  • 横向分辨率/探头尺寸: ≥2毫米

为了启用某些功能并改善您的使用体验,此站点将cookie存储在您的计算机上。 请单击“继续”以提供授权并永久删除此消息。

要了解更多信息,请参阅我们的 私隐政策.