飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)

飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)是一种表面分析技术,可将脉冲的初级离子束聚焦到样品表面,在溅射过程中产生二次离子. 分析这些次级离子可提供有关表面上存在的分子、无机和元素种类的信息。 例如,如果表面吸附了油等有机污染物,TOF-SIMS 会显示此信息,而其他技术可能不会显示,特别是在非常低的水平下。 由于 TOF-SIMS 是一种测量技术,因此一般可以检测到元素周期表中的所有元素,包括 H。 此外,这种分析可以提供质谱信息; 样本中 XY 维度的图像信息; 以及样本中 Z 方向的深度剖面信息。

TOF-SIMS智能图表

TOF-SIMS是 智能图表 并且是一种非常表面敏感的技术,可提供具有出色检测限的完整元素和分子分析

表面灵敏度

TOF-SIMS的表面敏感性使其成为解决问题的良好第一步,可以概述样品中存在的物种类型。 然后可以使用其他技术来获得附加信息。 TOF-SIMS也是一种能够检测到比传统物种低得多的物种的技术 表面分析 诸如的技术 XPS 以及 .

EAG已提供 时间 - 飞行 二次离子质谱在商业上比任何其他公司都要长,我们的专业知识是首屈一指的。 这对于 TOF-SIMS 尤其重要,因为其中的数据集可能极其复杂,并且可能需要比其他方法更多的解释或数据处理。 TOF-SIMS 的成像能力可以提供来自微米级缺陷和颗粒的元素和分子信息。 TOF-SIMS 还可用于深度剖析并补充动态 SIMS。 剖面分析的优势在于其小区域功能以及无需选择特定感兴趣元素即可进行测量深度剖面的能力。 最近,簇离子束能够对有机材料进行分析,同时保持结构上的重要信息。

在EAG,我们使用TOF-SIMS帮助客户进行质量控制,故障分析,故障排除,过程监控以及研发。 例如,我们在研究晶圆表面污染问题时提供的信息可以帮助确定问题的具体来源,例如泵油或部件除气,或者它可能表明晶圆加工步骤本身存在问题(例如蚀刻残留物)。 我们确保您在整个过程中提供个人对个人服务,以便您充分了解测试结果及其含义。

TOF-SIMS的理想用途

  • 有机和无机材料的表面分析
  • 表面元素和分子的成像
  • 如果发生分层,起泡,除湿,染色,混浊等故障和根本原因分析
  • 调查深度剖析

我们的强项

  • 表面化合物的分子鉴定
  • 极高的灵敏度和低检测限
  • 以约0.2 µm的分辨率成像
  • 绝缘子和导体分析
  • 无损(静态模式)
  • 各种材料的调查深度剖析
  • 特定材料的定量表面覆盖率和浓度深度曲线
  • 在特定工具上: 整个晶圆可达200​​毫米
  • 使用氩气团簇离子束(GCIB)进行分子深度分析

限制

  • 首先,通常没有标准就无法定量
  • 其次,样品必须与真空兼容
  • 第三,在静态模式下,最外面的1-3个单层以下没有分子信息
  • 第四,来自样品包装和处理或先前分析的污染可能会影响结果的质量

TOF-SIMS技术规格

  • 检测到的信号:元素离子和分子离子
  • 检测到的元素:完整的元素周期表覆盖范围,以及分子种类
  • 检测限:单层的分数,107 - 1010 在/厘米2 (半导体上的金属),深度剖面中的体积浓度低至1 ppm
  • 深度分辨率:1-3个单层(静态模式),低至1 nm(深度剖析)
  • 信息深度:1 nm以下(静态模式),最大10μm(深度剖析)
  • 成像/制图:是的
  • 横向分辨率/探针尺寸:低至0.2 µm

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