透射电子显微镜(TEM)和扫描透射电子显微镜(STEM)

透射电子显微镜(TEM分析)和扫描透射电子显微镜(STEM)是使用电子束成像样品的类似技术。 TEM分析和STEM的图像分辨率约为1-2Å。 高能电子(80-200 keV)通过电子透明样品(约100 nm厚)传输。 TEM和STEM的空间分辨率比 SEM 但往往需要更复杂的样品制备。

尽管TEM和STEM比许多其他常用的分析工具更耗时,但是可以从这些技术获得各种信号,从而可以在纳米级进行化学分析。 除了高图像分辨率外,还可以表征晶体相,晶体取向(使用电子衍射实验),生成元素图(通过使用 EDS or EELS),并获取突出基本对比度(Z对比度或HAADF-STEM模式)的图像。 这些都可以从精确定位的nm范围内完成。 STEM和TEM是用于薄膜和IC样品的出色故障分析工具。

理想的用途

  • 0.2 nm分辨率的计量
  • 识别集成电路上的nm大小的缺陷,包括嵌入的颗粒和通孔残留物
  • 纳米级结晶相的测定
  • 纳米颗粒表征:尺寸,核/壳研究,团聚,退火的影响…
  • 催化剂研究
  • 纳米级元素图
  • III-V超晶格表征
  • 晶体缺陷表征(位错,晶界,空洞,堆垛层错)

我们的强项

  • 任何分析技术的最高空间分辨率元素映射
  • 低于0.2 nm(2Å)的图像分辨率
  • 小面积晶体学信息
  • 结晶与无定形材料之间的强烈对比,无化学染色

限制

  • 明显的样品制备时间(1-4小时)
  • 采样量小。 样品通常约为100 nm厚,5μmx 5μm
  • 一些材料在高能电子束中不稳定

技术规格

  • 检测到的信号: 透射电子,散射电子,二次电子,X射线
  • 检测到的元素: BU(EDS)
  • 检测限: 0.1-1 at%
  • 成像/制图: 是(EDS,EELS)
  • 终极横向解决方案: <0.2纳米

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