透射电子显微镜（TEM）和扫描透射电子显微镜（STEM）

透射电子显微镜（TEM分析）和扫描透射电子显微镜（STEM）是使用电子束成像样品的类似技术。 TEM 和 STEM 分析的图像分辨率约为 1-2 Å。 高能电子（80-200 keV）通过电子透明样品（~100 nm 厚）传输。 TEM 和 STEM 的空间分辨率比 SEM 但往往需要更复杂的样品制备。

尽管 TEM 和 STEM 比许多其他常用分析工具更耗时，但可以从这些技术中获取各种信号，从而可以在纳米级进行化学分析。 除了高图像分辨率外，还可以表征结晶相、结晶取向（使用电子衍射实验）、生成元素图（通过使用 EDS or EELS) 并获取突出元素对比度的图像（Z 对比度或 HAADF-STEM 模式）。 这些都可以从精确定位的纳米级区域完成。 STEM 和 TEM 是出色的薄膜和 IC 样品失效分析工具。

理想的用途

• 0.2 nm分辨率的计量
• 识别集成电路上的nm大小的缺陷，包括嵌入的颗粒和通孔残留物
• 纳米级结晶相的测定
• 纳米粒子表征：尺寸、核/壳研究、团聚、退火效果……
• 催化剂研究
• 纳米级元素图
• III-V超晶格表征
• 晶体缺陷表征（位错，晶界，空洞，堆垛层错）

我们的强项

• 任何分析技术的最高空间分辨率元素映射
• 低于0.2 nm（2Å）的图像分辨率
• 小面积晶体学信息
• 无化学染色的结晶与无定形材料之间的强烈对比

限制

• 明显的样品制备时间（1-4小时）
• 采样量小。 样品通常约 100 nm 厚，5 × 5 μm
• 一些材料在高能电子束中不稳定

技术规格

• 检测到的信号： 透射电子，散射电子，二次电子，X射线
• 检测到的元素： BU（EDS）
• 检测限： 0.1-1 at％
• 成像/制图： 是（EDS，EELS）
• 终极横向解决方案： <0.2纳米