FIB电路编辑和调试

聚焦离子束或FIB电路编辑服务允许客户在芯片内切割迹线或添加金属连接。 我们的服务包括样品制备,样品分析,故障隔离和实际电路修改。 这些电路编辑可以支持基本的电气设计表征或重新设计参数的验证。 我们全系列的调试工具使您能够解决最棘手的逻辑故障和其他异常情况。

FIB电路编辑采用精细聚焦的Ga +离子束在集成电路上成像,蚀刻和沉积材料。 光束4-5 nm分辨率允许进行极其精确的编辑。 FIB耦合到导航系统(Knights / Camelot / Lavis),提供了一种查找地下特征并确保进行正确编辑的方法。 高能Ga梁可以通过导体磨削,并利用适当的气体化学成分; 可以使用离子束精确地沉积钨,铂或二氧化硅。

聚焦离子束电路编辑可以快速,轻松地完成,而成本只是工厂中新晶圆数量的一小部分。 一旦识别出设计缺陷,通常会执行电路编辑,以确保建议的修复将解决完整的问题。 利用我们最先进的设备和专业技术,我们可以在高级工艺节点(如28nm,20nm和14 nm)上编辑电路,使用多层金属叠层以及倒装芯片封装的背面编辑。 我们的 电子工程师 在整个硅谷拥有多年的经验,并具备满足最苛刻要求的必要知识和能力。 FIB编辑通常需要快速周转并且不能承担任何错误-我们多年的经验以及对客户满意度的关注使EAG成为电路编辑的明智之选。

EAG的FIB电路编辑服务包括以下过程,所有这些过程都可以以大约20nm精度执行:

  • 金属沉积
  • 介电沉积
  • 金属和电介质蚀刻; 包括材料特定的化学蚀刻增强
  • 使用入射离子束成像装置

这些功能允许FIB执行一些关键功能:

  • 通过连接和切断信号线来编辑电路,以便修改电路的逻辑。
  • 通过暴露所需的迹线并连接到新形成的探针垫,在特定位置形成探针垫。
  • 增加或减少电路中的电阻。
  • 故障分析:FIB无源电压对比(PVC)缺陷定位比相应的更灵敏,更可重复 SEM。 当观察到有趣的功能时,FIB能够提供其他信息以帮助确定根本原因。
    • 可以在FIB中标记缺陷区域以进一步表征
    • 可以在FIB中对缺陷进行横截面和成像
    • 可以通过切割适当的相邻电路元件来隔离缺陷

立即联系我们,以了解EAG的FIB电路编辑服务如何帮助电气设计char {“ type”:“ block”,“ srcIndex”:0:“ srcClientId”:“ 091cce9e-97fa-446f-bf11-e8ce5c8fa4a7”,“ srcRootClientId” ”:“ e3e6ad13-e0dc-44db-9675-8e9d874b56ba”}或重新设计项目的验证。

我们行业中的许多专家认为 电路编辑 对于20nm以下的工艺节点,使用聚焦离子束不再可行。 EAG实验室已经能够帮助我们的客户进行单位数纳米级几何图形的电路编辑。 随着高级节点上设备开发成本的增长达到10万美元以上,本应用笔记将讨论典型用途以及我们的工程师如何推动该技术的局限性,以便及早纠正任何设备错误,并考虑到这种能力。生成数百个经过编辑的样本,以进行客户演示以及持续的开发和工程测试。

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