氮掺杂C中体积[N]的SIMS测量z-Si:长期精确结果

应用笔记

讨论

正在为90 nm节点和未来的小型设备开发先进的硅衬底产品。 Cz-Si晶体生长期间的氮掺杂是这些产品中的一些产品的关键技术,因为这有助于设计90 nm节点和较小器件的低温处理所需的缺陷特性。 10需要测量体积[N]13-1014/厘米3 这些范围 先进的硅 基板产品。

该行业的目标是开发一个 FTIR 测量体积[N],但在所需的浓度范围和可接受的精度下实现这一点仍然是一个挑战。 ASTM F 2139测试方法 SIMS 于2001年批准测量,但实际测量精度有待提高,并且该测试方法仅适用于1×1014/厘米3。 在EAG实验室,我们使用ASTM F 2139测试方法提高了SIMS的测量精度,并将检测能力扩展到1×1013/厘米3 水平。 在这里,我们给出了硅中三个氮水平的长期(20个月)精确度结果。 表1显示了每个级别的相对一个标准偏差(RSD)。 图1显示了氮浓度为1.7×10的长期趋势图14/厘米3,7.3×1013/厘米3和4.1×1013/厘米3。 这些结果表明我们的SIMS具有出色的测量能力,可用于校准FTIR研究和开发的参考材料,并监测晶体生长过程,直到FTIR测量开发成功。

散装[N]的SIMS测量,表1三级[N]的长期RSD

表1三个[N]水平的长期RSD

散装[N]的SIMS测量,图1样品X,Y和Z的长期(20个月)重复测量。

图1样品X,Y和Z的长期(20个月)重复测量。

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