使用二次离子质谱法测定低K材料的深度剖面

应用笔记

讨论

集成电路不断缩小的尺寸带来了新的挑战 材料表征。 使用Cu代替Al用于硅器件中的互连以及使用低K介电材料代替SiO2 导致IC速度和性能的显着进步,以及材料加工和集成的复杂性。 SIMS是表征绝缘的最有价值的技术之一, 半导体金属材料 并且可以帮助解决流程和集成问题。 然而,低K介电材料引入了新的问题 SIMS深度剖析。 富含H或C的低K材料的独特绝缘性质,化学结构和通常多孔性质使得SIMS分析非常具有挑战性,因为分析本身会降低材料的性能。 Low-K薄膜由多种成分制成,通常没有标准样品可用于SIMS数据定量。 在EAG实验室,我们已经解决了这些问题。

EAG可提供深度剖析表征服务,包括:

  • 测量H,C,O和Si深度剖面,对分析中的样品造成的损害最小。
  • 改进的杂质分析,例如F,N,Cl和其他金属元素。
  • 使用我们独特的参考材料对所有测量物种和基质进行准确定量。

多孔有机硅酸盐低K薄膜的SIMS曲线。 从这个测量中我们可以得到H,C,O和Si的原子百分比作为深度的函数。 轮廓中的周期性峰值和骤降显示了该多层结构中的界面。

多孔有机硅酸盐低K薄膜的SIMS曲线。 从这个测量中我们可以得到H,C,O和Si的原子百分比作为深度的函数。 轮廓中的周期性峰值和骤降显示了该多层结构中的界面。

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