使用PCOR-SIMS表征退火的ULE B植入物SM

应用笔记

引言

随着器件尺寸不断缩小,开发和改进超低能量(ULE)硼离子注入是一个备受关注的领域。 描述 这些植入物需要在晶片表面的上几纳米内精确的轮廓形状和氧化层厚度。

PCOR-SIMSSM 表示ULE B表征的最新改进,其中包含对配置文件的所有区域的逐点数据校正。 该方法避免了由较旧的氧气注入和垂直入射技术引入的近表面轮廓畸变,并且由于精确测量表面氧化物厚度而产生最精确的结深度测量。

讨论

新的协议之间的差异在250eV注入和退火的Si晶片的上面的配置文件中得到了显着的显示。 旧O中的近表面伪影2 - 血液和垂直入射方案严重扭曲了植入和退火剖面的B剖面形状。 相比之下,PCOR-SIMS®协议显示,植入后的样品在表面下方仅有1.3nm的高斯形峰。 退火样品显示B重新分布到表面氧化层和Si衬底之间的界面,与Si / SiO上现有的热力学扩散模型一致2 接口1。 此外,PCOR-SIMS®型材还可以定量测量表面氧化层厚度,这一特性完全缺乏O型2 - 血液和正常发病率概况。 注意尽管B有明显的扩散,但由于退火导致的氧化物厚度几乎没有变化。

* PCOR-SIMSSM ULE B协议是EAG广泛开发的结果。 “PCOR-SIMSSM“名称部分描述了EAG的专有方法,包括点对点校正,从而为超浅植入物提供最准确的SIMS分析。

在退火之前和之后用于250eV硼注入表征的两种SIMS分析方案的比较。
在退火之前和之后用于250eV硼注入表征的两种SIMS分析方案的比较。

在退火之前和之后用于250eV硼注入表征的两种SIMS分析方案的比较。 请注意,与通常的对数刻度不同,浓度轴是线性的。 退火B注入的PCOR-SIMS®分析检测到氧化物/ Si界面处的积累,如预期的那样(b)。 O.而O.2-flood SIMS协议导致不真实的轮廓形状(a)。


1。 物理学。 版本B 68,195311(2003)

为了启用某些功能并改善您的使用体验,此站点将cookie存储在您的计算机上。 请单击“继续”以提供授权并永久删除此消息。

要了解更多信息,请参阅我们的 私隐政策.