平板显示器制造中问题解决的高级曲面分析

应用笔记

讨论

制造 现代平板显示器 涉及使用先进的高科技工艺和材料。 TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)的生产涉及传统Si的合并 半导体加工技术 玻璃加工和精细化学品。

本应用笔记重点介绍如何使用 TOF-SIMS(飞行时间二次离子质谱) 用于分析TFT制造步骤中形成的残留物。 TOF-SIMS从表面的顶部10-30Å提供高度特异的化学信息(原子和分子)。

在这种情况下,发现在检查显示器期间存在填充几乎整个单元的圆形缺陷。 TFT结构的典型区域显示在第2页上。 每个细胞宽约100μm。 只有当液晶存在于结构内并且在该点处注意到缺陷位置时,才能看到缺陷。 这些缺陷被怀疑是有机的。

TOF-SIMS数据可以显示为离子图像或质谱图。 下图显示了TFT表面上所选物种的横向分布。 质谱显示图像内特定区域中存在的特定分子和原子种类,在这种情况下,来自缺陷。

这里显示的是总离子图像(来自样品的所有正离子),以及Si,C的正离子图像3H9Si和C.2H3。 缺陷是总离子图像中间的暗圆形区域。 Si和C.3H9Si映射有缺陷而其他有机离子(例如C.2H3) 不要。 C3H9在质谱中标记的Si和其他离子归因于PDMS(聚二甲基硅氧烷)。 PDMS广泛用于工业材料,作为抛光剂,脱模剂,润滑剂,泵油以及作为一些粘合剂中的组分。 Page 2显示从缺陷中获得的正离子质谱。 在此故障分析示例中,PDMS被追溯到制造过程中的特定来源。 该示例说明了使用正确的分析仪器解决FPD行业中的制造问题可以获得的重要且有用的信息。

正离子图像

平板显示器的TOF-SIMS分析 -

总离子图像

平板显示器的TOF-SIMS分析 -

m / z 28,Si

平板显示器的TOF-SIMS分析 -

m / z 73,C3H9Si

平板显示器的TOF-SIMS分析 - 正离子图像

m / z 27,C2H3

感兴趣的分析区域的光学图像

平面显示器上缺陷的正离子TOF-SIMS光谱

平面显示器上缺陷的正离子TOF-SIMS光谱

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