全反射蛍光X線(TXRF)は、研磨されたウェーハ表面の超低角X線励起を利用して、表面の金属汚染物質の濃度を取得します。
X線ビームの入射角(通常は0.05〜0.5°)は基板の臨界角を下回り、励起をサンプルの最表面に制限します(材料によっては上部80Åまで)。 サンプルから放出される蛍光シグナルは、存在する元素汚染物質の特徴です。
表面感度の高い技術であるTXRFは、Si、SiC、GaAs、サファイアなどの半導体ウェーハ上の表面金属汚染を分析するために最適です。
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