ラザフォード後方散乱分光法(RBS)

ラザフォード後方散乱分光法(RBS)は、組成薄膜分析に使用されるイオン散乱技術です。 RBSは、参照標準を使用せずに定量化を可能にするという点でユニークです。 RBS分析中、高エネルギー(MeV)2+ イオン(すなわちアルファ粒子)はサンプルに向けられ、所定の角度で後方散乱されたHe2+ のエネルギー分布と収率を測定します。 各元素の後方散乱断面積は既知であるので、得られたRBSスペクトルから、厚さ1μm未満のフィルムについて、定量的組成深さプロファイルを得ることが可能です。

元素組成に加えて、RBSを使用して単結晶サンプルの結晶品質に関する情報を取得できます。 「チャネリング」と呼ばれるこの手法は、結晶の損傷の程度を調べたり、格子内の置換種または格子間種の量を決定したりすることができます。

EAGは、ペレトロンとタンデトロンの両方の機器を使用して、RBSを使用して薄膜を分析することで世界クラスの経験を持っています。 あらゆる種類の薄膜(酸化物、窒化物、ケイ化物、高Kおよび低K誘電体、金属膜、化合物)の分析におけるEAGの経験 半導体 (ドーパント)は、短い納期、正確なデータ、そして質の高い個人間サービスを可能にします。

RBSチュートリアル:計装

RBSチュートリアル:理論

RBSの理想的な使用法

  • 薄膜の組成/厚さ
  • 面濃度を決定する(atoms / cm2)
  • フィルム密度を決定する(厚さがわかっている場合)

強み

  • 非破壊組成分析
  • 基準なしの定量
  • 導体と絶縁体の分析
  • 水素測定(HFSモード)
  • 低Z元素感度(NRAモード)

制限事項

  • 広い分析領域(〜2 mm)
  • 有用な情報はサンプルの上位1μmに限定されています

RBS技術仕様

  • 検出されたシグナル: 後方散乱されたHe原子
  • 検出された要素 BU
  • 検出限界: 0.001-10 at%
  • 深さの決断: 100-200Å
  • イメージング/マッピング: いいえ
  • 側面の決断/調査のサイズ: > = 2 mm

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