電子後方散乱回折(EBSD)

電子後方散乱回折(EBSD)は、サンプルの結晶学的特性を特徴づけるのに非常に適した手法です。 粒子サイズ、粒子形状、粒子配向、結晶粒界の方向のずれ、相の空間分布、局所的な変形、およびテクスチャーなどの特性はすべて、この手法によって特徴付けることができます。

EBSD分析は私たちの優れた能力を大きく補完するものです。 X線回折(XRD) サービス 当社のXRDツールとスタッフは、フェーズID、ナノ結晶粒径、薄膜の厚さ、およびテクスチャに関する比類のない情報を提供できます。 EBSDで利用可能な新機能は、空間情報を提供し、微細構造を視覚化し、結晶サンプルの完全な説明に追加するのに役立ちます。

EBSDの理想的な使用法

  • 空間座標による微細構造の可視化
  • 溶接部付近または半導体ボンドパッド上などの正確な位置におけるテクスチャの特性評価
  • 鋼板とAlの仕上品質に関連する粒径と集合組織のキャラクタリゼーション
  • LMに伴う誤差のない、大きな粒子の測定
  • CSLや双晶などの特殊な粒界の特性評価
  • 結晶粒誤配向の測定
  • 結晶粒内誤配向および結晶粒アスペクト比の検討による変形のキャラクタリゼーション
  • エピタキシャル成長薄膜のキャラクタリゼーション
  • 断面を調べることによる詳細なテクスチャの特徴付け

強み

  • 粒径の直接測定
  • 個々の粒界角度を独自に特徴付けることが可能
  • 一部の材料の相分布をマッピングできます
  • nmの数10からmmの数10までのグレインサイズをマッピング可能

制限事項

  • アモルファス材料は測定できません
  • さまざまなフェーズを区別する中程度の能力

EBSD技術仕様

  • 検出されたシグナル: 回折電子
  • 検出された要素 結晶質マトリックス中に存在すると仮定すると、すべての元素
  • 検出限界: 粒子サイズ> 80 nm
  • 定量分析: 粒径と関連寸法:〜10%

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