VCSELを理解する:エピタキシャルウェーハの成長から故障解析まで

アプリケーションノートはじめに

VCSELでは、共振器ミラーはXNUMXつの役割を果たす必要があります。エッジエミッタのように、光フィードバックと光出力の範囲を制御する必要があります。 but in addition, they also have to be electrically conducting, so that they can allow the injection of carriers from the contacts into the active region.しかし、それに加えて、それらはまた、接点から活性領域へのキャリアの注入を可能にすることができるように、導電性でなければならない。 This set of requirements is often met by forming a stack of semiconductor layers, which have thicknesses that are carefully chosen to create a distributed Bragg reflector (DBR).この一連の要件は、分散ブラッグ反射鏡(DBR)を作成するために慎重に選択された厚さの半導体層のスタックを形成することによって満たされることがよくあります。 To produce a high performance VCSEL, the DBR is formed from alternating layers with a sufficiently high refractive index contrast in order to realize high levels of reflection.高性能VCSELを生成するために、DBRは、高レベルの反射を実現するために十分に高い屈折率コントラストを持つ交互の層から形成されます。 Engineers must also ensure that the conductivity of the mirrors is sufficiently high to prevent current injection into the active region from causing excessive ohmic heating.エンジニアはまた、ミラーの導電率が十分に高く、アクティブ領域への電流注入が過度のオーム加熱を引き起こさないようにする必要があります。 Our development of advanced techniques for materials analysis has allowed EAG Laboratories to provide comprehensive process development and failure analysis of vertical cavity surface emitting lasers.材料分析のための高度な技術の開発により、EAGラボラトリーズは垂直共振器面発光レーザーの包括的なプロセス開発と故障分析を提供することができました。 Our proprietary PCOR-SIMS capabilities have opened up this technique so that it is no longer limited to impurity and dopant analyses of semiconductor materials.当社独自のPCOR-SIMS機能により、この手法が可能になり、半導体材料の不純物およびドーパント分析に限定されなくなりました。
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