III-V多接合PV–アプリケーションディスカッション

アプリケーションノート

III-V 太陽電池技術 集光器用PVシステムは、集光器が使用されていない宇宙用途で使用される三重接合III-V型太陽電池から生まれた技術です。 地上集光器および宇宙用の両方の用途のためのセルは、広範囲の太陽スペクトルを集めることによって変換効率を最適化するように設計されている。 III − V合金組成がそのエネルギーバンドギャップを決定し、そして多くのIII − V合金が互いにエピタキシャル成長することができるので、異なるバンドギャップの多層のスタックが製造され得る。

III-V族薄膜PVの改良の主な分野は、集光型PVシステムの変換効率の向上と製造規模の拡大です。

材料のキャラクタリゼーション 使用して 表面分析 メソッドは、効率改善の分析研究開発をサポートするために使用できます。

III − V族薄膜PVデバイス構造の概略図は、表面分析が助け得るいくつかの方法を例示する。

回路図の左側には、 'eV'値がその層のエネルギーバンドギャップである層構造があります。 この絵は説明のみを目的としています。 実際の構造にはさらに多くの層があります。 SIMS これらのIII-V族スタックの不純物プロファイルを評価するのに特に有用ですが、合金組成プロファイルを評価するためにも使用できます XRD) 層構造界面は、によって特徴付けることができる。 FIB/SEM 影響により TEM。 金属接点は、 (例:XPS, XRDRBS。 製造において、汚染は以下によって評価され得る。 FTIR, TOF-SIMS、XPSと GCMS.

III − V族薄膜PVデバイス構造の概略図は、表面分析が助け得るいくつかの方法を例示する。

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