Fluorescence des rayons X à réflexion totale (TXRF)

La fluorescence de rayons X à réflexion totale (TXRF) utilise une excitation de rayons X à angle extrêmement faible d'une surface de tranche polie pour obtenir la concentration de contaminants métalliques de surface.

L'angle d'incidence du faisceau de rayons X (typiquement 0.05-0.5°) est inférieur à l'angle critique pour le substrat et limite excitation à la surface la plus externe de l'échantillon (~ top 80 Å, selon le matériau). Le signal de fluorescence émis par l'échantillon est caractéristique des contaminants élémentaires présents.

TXRF

Technique hautement sensible à la surface, TXRF est optimisée pour l'analyse de la contamination par des métaux en surface sur des plaquettes semi-conductrices telles que Si, SiC, GaAs ou saphir.

Utilisations idéales de la fluorescence X à réflexion totale

  • Contamination de surface métallique sur des plaquettes de semi-conducteur

Nos points forts

  • Analyse d'éléments traces
  • Analyse de l'enquête
  • Quantitatif
  • Non destructif
  • Analyse automatisée
  • Analyse de plaquettes entières (jusqu'à 300 mm)
  • Peut analyser de nombreux substrats, p.ex. Si, SiC, GaAs, InP, saphir, verre

Limites

  • Impossible de détecter les éléments à faible Z (en dessous de Na sur le graphique périodique)
  • Surface polie requise pour les meilleures limites de détection

Spécifications techniques TXRF

  • Signal détecté: rayons X fluorescents de la surface de la tranche
  • Éléments détectés: Na-U
  • Limites de détection: 109 - 1012 à / cm2
  • Résolution de profondeur: 30-80 Å (profondeur d'échantillonnage)
  • Imagerie / Cartographie: facultatif
  • Résolution latérale / taille de la sonde: ~ 10 mm

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