Spectroscopie à rayons X à dispersion d'énergie (EDS)

La spectroscopie à rayons X à dispersion d'énergie (EDS) est une méthode d'analyse chimique qui peut être couplée aux deux techniques principales basées sur un faisceau d'électrons of Microscopie électronique à balayage (MEB), Microscopie électronique à transmission (TEM) et balayage Microscopie électronique à transmission (STEM).

L'EDS, lorsqu'il est combiné à ces outils d'imagerie, peut fournir une analyse élémentaire résolue spatialement à partir de zones aussi petites que 1 nanomètre de diamètre (STEM). En SEM, le volume d'analyse est plus grand et varie en volume de peut-être 0.1 à 3 microns. L'impact du faisceau d'électrons sur l'échantillon produit des rayons X caractéristiques des éléments présents sur l'échantillon. L’analyse EDS peut être utilisée pour déterminer la composition élémentaire de points individuels, des balayages de lignes ou pour tracer la distribution latérale des éléments de la zone imagée.

Utilisations idéales de l'EDS

  • Composition élémentaire de petites zones par imagerie SEM / TEM
  • Identification / cartographie des défauts

Nos points forts

  • Analyse compositionnelle rapide de « premier aperçu »
  • Polyvalent, peu coûteux et largement disponible
  • Quantitative pour certains échantillons (plat, poli, homogène)

Limites

  • Généralement, une analyse semi-quantitative est possible
  • La taille de l'échantillon doit être compatible avec SEM / TEM
  • Les échantillons doivent être compatibles avec le vide (pas idéal pour les matières organiques humides)
  • L'analyse (et le revêtement) peuvent limiter les analyses de surface ultérieures
  • De nombreux chevauchements de pics élémentaires sont possibles, un examen attentif des spectres est nécessaire

Spécifications techniques EDS

  • Signal détecté: Rayons X caractéristiques
  • Éléments détectés: BU
  • Limites de détection: 0.1-1 à%
  • Profondeur d'échantillonnage SEM: 0.1-3 µm
  • Profondeur d'échantillonnage STEM:  ~ 0.1 microns (épaisseur de la feuille)
  • Imagerie / Cartographie et balayage de lignes: Oui
  • Résolution latérale: 1-2 nm pour STEM-EDS, ≥0.1 m pour SEM EDS

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