EBIC (courant induit par faisceau d'électrons) est un microscope électronique à balayage (MEB)technique à base de base utilisée pour les dispositifs à semi-conducteurs. Comme pour la cathodoluminescence (CL), la technique dépend de la création de paires électron-trou (EHP) par le faisceau d'électrons à haute énergie du SEM pour créer le signal analytique. EBIC utilise un pico-ampèremètre sensible connecté entre les côtés p et n du dispositif pour mesurer le courant résultant, ou EBIC, qui circule lorsque le faisceau d'électrons est balayé sur l'échantillon dans une vue en plan (PV) ou en coupe transversale ( XS). L'intensité du signal EBIC correspond alors à la force du champ électrique intégré autour de la jonction pn. Les défauts qui agissent comme sites de recombinaison montrent un signal EBIC significativement plus bas.
En règle générale, les signaux EBIC et d'électrons secondaires (SE) sont capturés simultanément, fournissant des cartes spatiales complémentaires de l'EBIC ainsi que des informations topographiques et/ou compositionnelles. EBIC est une technique très efficace pour localiser des défauts électriquement actifs autrement cachés dans une grande zone (mm2) avec une précision de 50 à 100 nm pour une analyse plus approfondie des causes de défaillance (FA) telles que la vue en plan (PV), la coupe transversale (XS) SEM ou la microscopie électronique à transmission à balayage (STEM).
De plus, le courant induit par faisceau d'électrons peut être utilisé pour déterminer quantitativement l'emplacement vertical d'une jonction pn dans une structure hétéroépitaxiale complexe telle que celle trouvée dans les diodes électroluminescentes (DEL), les lasers à émission de surface à cavité verticale (VCSEL) et les lasers à émission de bord . Dans certains cas, les estimations des longueurs de diffusion des porteurs minoritaires peuvent également être calculées à partir des mêmes données quantitatives XS-EBIC.
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