Techniques de microscopie avancées telles que SEM (microscopie électronique à balayage), TEM (Microscopie Electronique à Transmission) et SEM à double faisceau sont des techniques essentielles pour étudier la microstructure, la morphologie, la taille des particules, les revêtements et les défauts des échantillons. Ces techniques utilisent souvent des capacités de cartographie élémentaire telles que EELS (spectroscopie de perte d'énergie électronique) et EDS (spectroscopie de rayons X à dispersion d'énergie), qui fournissent des informations précieuses sur la composition des éléments et leur emplacement / distribution.
EAG propose une large gamme et une large base installée de différents microscopie des outils et des services adaptés à votre application, allant du développement de processus à l'analyse des défaillances. En plus de fournir une imagerie haute résolution, notre capacité analytique fait de nous un partenaire unique qui peut vous aider pendant la recherche, le développement et l'analyse des défaillances.
Les techniques de microscopie peuvent être utilisées pour caractériser de nombreux types de défauts. Ceux-ci inclus:
Les types de matériaux testés à l'aide de techniques de microscopie avancées:
Il y a eu une émergence rapide de nouvelles technologies, qui ont permis à de nouvelles industries telles que la reconnaissance faciale, la conduite autonome, la réalité virtuelle et la communication 5G. Ces domaines de croissance comprennent généralement le FinFET, le VCSEL et les semi-conducteurs composés III/V. Pour notre équipe de microscopie avancée, les matériaux indiquent l'hétéro-épitaxie, les réseaux cubiques et hexagonaux, où les défaillances des appareils ont souvent des structures 3D compliquées.
Le développement récent de la technologie FIB permet la préparation d'échantillons TEM de haute précision de dispositifs de logique et de mémoire 3D. Cet exemple montre une image HAADF d'une grille découpée dans un dispositif FinFET 22D de génération 3 nm avec LPortail~ 30 nm, comme le montre un article récent de l'équipe de microscopie avancée des laboratoires EAG qui a été présenté à Microscopie et microanalyse 25 (S2): 690-691 (2019) «Applications industrielles de la microscopie électronique: une perspective de laboratoire partagée»
Un autre exemple intéressant est l'image ci-dessous qui montre une interface nitrure d'aluminium/carbure de silicium observée en utilisant l'imagerie HR-STEM.
Dans l'exemple ci-dessous, nous observons le typage de la dislocation de GaN: analyse vectorielle de Burgers avec diffraction d'électrons à faisceau convergent à grand angle (LACBED)
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