NOTE D'APPLICATION
DISCUSSION
Les surfaces ultra-propres sont essentielles au succès du traitement des dispositifs à semi-conducteurs. Une panne de périphérique peut souvent être attribuée à contaminants de surface tels que les métaux de transition et les atomes alcalins. Afin de contrôler les contaminants, il est nécessaire de les identifier et de les quantifier. Utiliser les deux TXRF et de la SURFACESIMS. XP fournit la solution totale avec la meilleure valeur pour les mesures de contamination de surface sur des surfaces de semi-conducteurs.
CARACTÉRISTIQUES DE TXRF
En tant que technique d’enquête, TXRF permet de mesurer à faible coût la contamination de surface par plusieurs éléments à haute sensibilité.
CARACTÉRISTIQUES DE SURFACESIMS.XP
SURFACESIMS.XP fournit (1) la densité surfacique des contaminants de surface et (2) des informations sur la distribution des contaminants près de la surface. Ceci représente un avantage important par rapport à TXRF, VPD-AAS et VPD-ICPMS.
* Ces éléments ne peuvent pas être détectés par TXRF ou ne peuvent pas être mesurés à des niveaux pratiques. Dans certains cas, les interférences spectrales empêchent la détection à des niveaux bas.
Références
Corrélation entre les mesures SURFACESIMS et TXRF de la contamination des métaux de surface sur le silicium, SP Smith, J.Metz et PK Chu, in Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS XI), édité par G. Gillen, R. Lareau, J. Bennett et F. Stevie .
(John Wiley & Sons, Chichester, 1998) pages 233-236.
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