Limites de détection SIMS des éléments sélectionnés en HgCdTe Dans des conditions normales de profilage de profondeur

NOTE D'APPLICATION

DISCUSSION

SIMS est une technique analytique puissante qui permet de détecter tous les éléments de H à U avec une excellente sensibilité. Le tableau fournit une liste des limites de détection typiques des impuretés dans une HgCdTe matrice pour conditions de profil de profondeur normales. Des niveaux de détection plus bas peuvent être obtenus pour de nombreuses espèces dans des conditions analytiques optimales au cas par cas.