Microscopie à capacité de balayage (SCM) d'un MOSFET de puissance

INTRODUCTION

Les progrès technologiques dépendent en grande partie de la miniaturisation continue des composants électroniques. Des composants plus petits permettront des vitesses de commutation et des densités d'appareils accrues pour un calcul plus rapide, une plus grande capacité de mémoire et une qualité d'image numérique améliorée. Les appareils de pointe actuels ont déjà une taille inférieure à 10 nm. La caractérisation de ces dispositifs devient de plus en plus difficile car les techniques traditionnelles, telles que la spectrométrie de masse à ions secondaires (SIMS), n'ont pas la résolution spatiale requise pour traiter ces petites structures. Une méthode alternative pour étudier ces dispositifs est la microscopie à capacité de balayage (SCM), une technique basée sur l'AFM. SCM produit des cartes de la distribution des porteurs électriquement actifs dans les semi-conducteurs à haute résolution latérale. Lors d'une mesure SCM, une sonde métallisée est mise en contact avec un échantillon de semi-conducteur pour former un condensateur métal-isolant-semi-conducteur (MIS), l'isolant étant souvent l'oxyde nativement développé. Une polarisation alternative est appliquée à l'échantillon, ce qui provoque l'accumulation et l'épuisement des porteurs et les variations de capacité qui en résultent sont détectées avec un capteur de capacité résonnante GHz.

Dans cette note d'application, un transistor à effet de champ à oxyde métallique semi-conducteur (MOSFET) disponible dans le commerce a été analysé à l'aide de SCM. Les MOSFET de puissance sont des dispositifs d'alimentation courants utilisés dans de nombreuses applications telles que l'électronique grand public, l'électronique automobile, les blocs d'alimentation, les convertisseurs de tension et les chargeurs de batterie.

Téléchargez cette ressource pour en savoir plus!

Pour activer certaines fonctionnalités et améliorer votre expérience avec nous, ce site stocke des cookies sur votre ordinateur. Veuillez cliquer sur Continuer pour donner votre autorisation et supprimer définitivement ce message.

Pour en savoir plus, consultez notre Politique de confidentialité.