Une étude d'analyse des matériaux à base de TEM sur la technologie FinFET 22 nm

INTRODUCTION

Le transistor à effet de champ à ailettes (FinFET) est la base de la fabrication moderne de dispositifs semi-conducteurs nanoélectroniques. La figure 1 montre schématiquement la conception de sa structure 3D. La grille s'enroule autour du canal sur l'ailette de silicium surélevée, dans laquelle le courant de charge circule entre la source et le drain SiGe. Par rapport aux transistors planaires traditionnels, FinFET offre une plus grande surface entre grille et canal et donc un meilleur contrôle du champ électrique et une réduction des fuites à l'état «off» [1].

Dans cette note d'application, nous présentons une étude de la structure, de la distribution élémentaire et de l'orientation cristalline d'une structure FinFET de 22 nm, en utilisant les instruments TEM de pointe de Nanolab Technologies et d'autres techniques d'analyse basées sur TEM, notamment EELS et PED.

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