Une étude d'analyse des matériaux sur l'avancement de la technologie FinFET: 22 nm à 7 nm

INTRODUCTION

FinFET 7 nm (Transistor à effet de champ Fin) la technologie des procédés a été introduite dans la production de masse de fabrication de semi-conducteurs en 2018, après un nœud de 10 nm en 2016, un nœud de 14 nm en 2014 et un nœud de 22 nm en 2012[1]. Bien que la dénomination des nœuds de processus ne soit pas directement liée à une distance mesurable sur une puce, la technologie de processus 7 nm fournit des transistors rétractables et offre ainsi une amélioration de l'utilisation de la zone de silicium et de l'efficacité énergétique. Dans cette note d'application, nous proposons une étude d'analyse des matériaux sur la comparaison entre les technologies FinFET de nœud 22 nm et de nœud 7 nm, en utilisant des techniques basées sur la TEM (microscopie électronique à transmission).

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